ITO層上開(kāi)孔
本文檔由 小旋風(fēng) 分享于2011-12-21 22:25
將氧化銦錫(ITO)生長(zhǎng)于氮化鎵基藍(lán)色發(fā)光二極管的出光臺(tái)面上(p型GaN臺(tái)面)， 用非平面化處理的方法制作出ITo井狀結(jié)構(gòu)，研制出非平面化型氧化銦錫一氮化鎵基藍(lán)色發(fā)光二極管(LED)，獲得了高的出光效率。結(jié)果表明，在20 mA工作電流下，該藍(lán)色發(fā)光二極管的出光光強(qiáng)是平整的普通ITO—GaN基LED的1．35倍。